Šotkija diodes struktūra un raksturlielumi padara to piemērotu augstfrekvences taisnošanai zemsprieguma un lielos strāvas izvades laukos, noteikšanai un sajaukšanai ļoti augstās frekvencēs (piemēram, X josla, C josla, S josla un Ku josla) , un iespīlēšana ātrgaitas loģiskajās shēmās. Schottky diodes bieži izmanto IC. Integrētās shēmas, piemēram, Šotkija diodes, ir kļuvušas par TTL shēmu galveno virzienu un tiek plaši izmantotas ātrgaitas datoros.
Papildus parastās PN savienojuma diodes raksturīgajiem parametriem noteikšanai un sajaukšanai izmantotās Šotkija diodes elektriskie parametri ietver arī starpfrekvences pretestību (attiecas uz Šotki diodes pretestību, kad nominālajai lokālajai svārstību jaudai tiek pielietota nominālā lokālā svārstību jauda). norādītā starpfrekvence, parasti no 200 Ω līdz 600 Ω), sprieguma stāvviļņu attiecība (parasti mazāka vai vienāda ar 2) un trokšņa rādītājs.
