Šotkija diodes tiek izgatavotas nevis pēc principa, ka p-veida pusvadītāji un n-tipa pusvadītāji saskaras, veidojot PN savienojumus, bet gan izmantojot metāla pusvadītāju savienojumu principu, ko veido metāla pusvadītāju kontakts. Tāpēc Šotkija diode tiek saukta arī par metāla pusvadītāju (kontakta) diodi vai virsmas barjeras diodi, kas ir karstā nesēja diode.
Galvenās SBD priekšrocības ietver divus aspektus:
1) Tā kā Šotkija barjeras augstums ir zemāks par PN savienojuma barjeras augstumu, priekšējās vadītspējas sliekšņa spriegums un tiešā sprieguma kritums ir zemāki nekā PN savienojuma diodes (apmēram 0,2 V zemāks).
2) Tā kā Šotkija diode ir sava veida nesēju vadošā ierīce, nav mazākuma nesēja kalpošanas laika un reversās atkopšanas. Šotkija diodes reversais atjaunošanas laiks ir tikai Šotki barjerkondensatora uzlādes un izlādes laiks, kas pilnībā atšķiras no PN savienojuma diodes reversās atkopšanas laika. Tā kā Schottky diodes reversās atkopšanas lādiņš ir ļoti mazs, pārslēgšanas ātrums ir ļoti ātrs un pārslēgšanas zudumi ir īpaši mazi, kas ir īpaši piemērots augstfrekvences lietojumiem.
Tomēr Šotki diodes reversais pārrāvuma spriegums ir salīdzinoši zems, jo Šotki diodes reversā barjera ir plāna un uz tās virsmas var viegli sabojāties. Tā kā Šotkija diodes ir vairāk pakļautas termiskajam sadalījumam nekā PN savienojuma diodes, apgrieztā noplūdes strāva ir lielāka nekā PN savienojuma diodēm.
pieteikumu
Šotkija diodes struktūra un raksturlielumi padara to piemērotu augstfrekvences taisnošanai zemsprieguma un lielos strāvas izvades laukos, noteikšanai un sajaukšanai ļoti augstās frekvencēs (piemēram, X josla, C josla, S josla un Ku josla) , un iespīlēšana ātrgaitas loģiskajās shēmās. Schottky diodes bieži izmanto IC. Integrētās shēmas, piemēram, Šotkija diodes, ir kļuvušas par TTL shēmu galveno virzienu un tiek plaši izmantotas ātrgaitas datoros.
Papildus parastās PN savienojuma diodes raksturīgajiem parametriem noteikšanai un sajaukšanai izmantotās Šotkija diodes elektriskie parametri ietver arī starpfrekvences pretestību (attiecas uz Šotki diodes pretestību, kad nominālajai lokālajai svārstību jaudai tiek pielietota nominālā lokālā svārstību jauda). norādītā starpfrekvence, parasti no 200 Ω līdz 600 Ω), sprieguma stāvviļņu attiecība (parasti mazāka vai vienāda ar 2) un trokšņa rādītājs.
efekts
Šotkija diode ir sava veida pusvadītāju ierīce ar zemu enerģijas patēriņu un lielu ātrumu. To raksturo ārkārtīgi īss reversās atkopšanas laiks (tikai dažas nanosekundes), un tiešās vadīšanas sprieguma kritums ir tikai aptuveni 0,4 V. To galvenokārt izmanto kā augstfrekvences, zema sprieguma, lielas strāvas taisngrieža diode, brīvriteņu diode, aizsardzības diode, kā arī izmanto kā taisngrieža diode un mazu signālu noteikšanas diode mikroviļņu sakaru un citās shēmās. Tas ir izplatīts sakaru barošanas avotā un frekvences pārveidotājā.
Tipisks pielietojums ir tāds, ka bipolārā tranzistora BJT komutācijas ķēdē Shockley diode ir savienota ar BJT, lai iespīlētu, lai tranzistors ieslēgtā stāvoklī patiešām būtu ļoti slēgtā stāvoklī, tādējādi uzlabojot pārslēgšanas ātrumu. tranzistors. Šī metode ir metode, ko izmanto tipisku digitālo IC, piemēram, 74LS, 74als un 74As, TTL iekšējās shēmās.
Vēl viena Šotkija diodes īpašība ir tāda, ka tiešā sprieguma kritums VF ir salīdzinoši mazs. Ar tādu pašu strāvu tā tiešā sprieguma kritums ir daudz mazāks. Turklāt tā atveseļošanās laiks ir īss. Tam ir arī daži trūkumi: izturības spriegums ir salīdzinoši zems, un noplūdes strāva ir nedaudz lielāka. Izvēloties, ir rūpīgi jāapsver.
